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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3772 +BOM

Transistor GP BJT NPN 60V 20A TO-3

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N3772
Datenblatt:

2N3772 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

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2N3772 Allgemeine Beschreibung

The 20 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for linear amplifiers, series pass regulators and inductive switching applications.

Hauptmerkmale

Low Power Consumption
I_C = 100 μA @ V = 5V
Operating Temperature Range: -40°C to +125°C
T_J = -50°C to +150°C

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.4 V
Maximum DC Collector Current	20 A	Pd - Power Dissipation	150 W
Gain Bandwidth Product fT	200 kHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Series	2N3772
Continuous Collector Current	20 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	5
DC Current Gain hFE Max	60	Height	8.7 mm
Length	39.5 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	26.2 mm
Unit Weight	0.225789 oz

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