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Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 7 A 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
TO-66 (TO-213AA)Hersteller:
Herstellerteil #:
2N3879
Datenblatt:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
NPN
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
75 V
EDA/CAD Modelle:
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 7 A 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 75 V | Collector- Base Voltage VCBO | 120 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
Maximum DC Collector Current | 7 A | Pd - Power Dissipation | 35 W |
Gain Bandwidth Product fT | - | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 200 C | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Unit Weight | 0.634459 oz |
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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1000+ $19,458
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