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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N4150 +BOM

Bipolar Transistors - BJT 70 V Power BJT

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N4150
Datenblatt:

2N4150 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Collector Current-Max (IC):

10 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

70 V
EDA/CAD Modelle:

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2N4150 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 70 V 10 A 1 W Through Hole TO-5AA

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Collector Current-Max (IC)	10 A	Collector-Emitter Voltage-Max	70 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	10
JEDEC-95 Code	TO-5	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Operating Temperature-Min	-65 °C	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	5 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	15 MHz	Turn-off Time-Max (toff)	2000 ns
Turn-on Time-Max (ton)	550 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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