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Siehe Technische Spezifikationen

2N5115 +BOM

60mA@15V 500mW P-Channel 100Ω 30V TO-18(TO-206AA) JFETs ROHS

Hersteller:

Interfet
Herstellerteil #:

2N5115
Datenblatt:

2N5115 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

P-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N5115

2N5115 Allgemeine Beschreibung

JFET P-Channel 30 V 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	P-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	30 V	Gate-Source Cutoff Voltage	6 V
Drain-Source Current at Vgs=0	- 60 mA	Id - Continuous Drain Current	- 15 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	100 Ohms	Pd - Power Dissipation	500 mW (1/2 W)
Series	2N51	Product Type	JFETs
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Type	JFET

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Bewertungen und Rezensionen

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B**y 01.14.2024

In short, the chips fit 2, 4, 6, 3, 11 bits of the block of five 4 can be put.

M**a 12.12.2021

Chips got, came those that ordered. Delivery is fast, thanks to the seller.

A**n 11.25.2021

Seller professional + + + + + + + + + + +

J**b 07.26.2021

From order to delivery 12 days (to tyumen), which is just fine. Transistors are exactly the ones i ordered. Took for repair of induction plate hansa. After replacing the burned transistor, the plate came to life. Chose this seller according to the recall, there was a successful repair of a similar plate with the replacement of the same radio clothing. Thank you very much to the seller. I recommend.