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2N6668 +BOM
The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.
TO-220-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
2N6668
-
Datenblatt:
-
Case Outline:
221A-09
-
MSL Temp (°C):
0
-
Container Type:
TUBE
-
Configuration:
Single
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 6698 Stck
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2N6668 Allgemeine Beschreibung
The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.
Hauptmerkmale
- High DC Current Gain hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc
- Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 200 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) 2N6667 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6668
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 2 Vdc (Max) @ IC = 5 A
- Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
- TO-220AB Compact Package
- Complementary to 2N6387, 2N6388 Figure 1. Darlington Schematic
Spezifikationen
Status | Obsolete | Case Outline | 221A-09 |
MSL Temp (°C) | 0 | Container Type | TUBE |
Product Category | Darlington Transistors | Configuration | Single |
Transistor Polarity | PNP | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 10 A | Pd - Power Dissipation | 65 W |
Mounting Style | Through Hole | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Continuous Collector Current | 10 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 100, 1000 | Height | 9.28 mm |
Length | 10.28 mm | Product Type | Darlington Transistors |
Factory Pack Quantity | 50 | Subcategory | Transistors |
Width | 4.82 mm | Unit Weight | 0.211644 oz |
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2N6668 Datenblatt PDF
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In Stock: 6.698
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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