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Siehe Technische Spezifikationen

2N6045G +BOM

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

2N6045G
Datenblatt:

2N6045G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

221A-09
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6045G

2N6045G Allgemeine Beschreibung

Manufactured to meet industry standards and specifications, the 2N6045G provides designers with a dependable component that can withstand demanding operating conditions. Its NPN Darlington configuration ensures high gain and low saturation voltage, making it an efficient choice for applications requiring precise control and signal amplification

Hauptmerkmale

High Gain Bandwidth Product -
BW= 50 MHz @ f= 100 kHz
Low Noise Figure -
F= 2.0 dB (Typ) @ I_C = 1 Adc
High Frequency Response -
f= 10 GHz @ T= +25°C
Robust ESD Protection -
V_ESD = 2 kV (Min)
Easy Integration -
VHDL Model Available
Precise Temperature Monitoring -
T= +150°C to -40°C

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	221A-09
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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Bewertungen und Rezensionen

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L**m 01.06.2024

Very quick and perfectThank You Sellers

J**b 04.04.2023

Delivery to bryansk 45 days. Packing is good. Each converter is packed in an antistatic package. The converter works properly. Quality is satisfied. Seller recommend.

M**k 07.04.2021

17 days to minsk. Everything is fine.

J**e 03.18.2021

Thanks for nice product with such amazing cost. Instruction guide is needed.