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Siehe Technische Spezifikationen

2N5337 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N5337
Datenblatt:

2N5337 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2N5337 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.2 V
Maximum DC Collector Current	5 A	Pd - Power Dissipation	6 W
Gain Bandwidth Product fT	30 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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