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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002 +BOM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N7002
Datenblatt:

2N7002 Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

1.2 A
RthJA Max:

250.0 K/W
Ptot Max:

0.5 W
VDS Max:

60.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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2N7002 Allgemeine Beschreibung

Comprising a vertical DMOS structure, the 2N7002 transistor epitomizes innovation in semiconductor technology. Through its advanced silicon-gate manufacturing process, this enhancement-mode transistor offers unparalleled power handling capabilities comparable to bipolar transistors. Its high input impedance and positive temperature coefficient make it an ideal option for precision circuit designs. With a proven track record of reliability and robustness, the 2N7002 transistor is well-suited for a multitude of applications requiring low threshold voltage, high breakdown voltage, and fast switching speeds

Hauptmerkmale

Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.
Small Servo Motor Control
Power MOSFET Gate Drivers

Spezifikationen

IDpuls max	1.2 A	RthJA max	250.0 K/W
Ptot max	0.5 W	VDS max	60.0 V
ID max	0.3 A	Special Features	Small Signal
RDS (on) max	3000.0 mΩ	Polarity	N
VGS(th) max	2.5 V	VGS(th) min	1.5 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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