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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002V +BOM

Mosfet Array 60V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563F

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N7002V
Datenblatt:

2N7002V Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

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2N7002V Allgemeine Beschreibung

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 0.28A, 2Ω

Hauptmerkmale

Dual N-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Ultra-Small Surface Mount Package
RoHS Compliant

Anwendung

Perfect for different tasks
Suitable for a range of projects
Adaptable to various requirements

Spezifikationen

Source Content uid	2N7002V	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	24 Weeks, 4 Days
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	0.28 A	Drain-source On Resistance-Max	7.5 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	7 pF
JESD-30 Code	R-PDSO-F6	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.25 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin (Sn)	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	280 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	-	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	150 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	2N7002V
Height	0.78 mm	Length	1.6 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	12.5 ns
Typical Turn-On Delay Time	5.85 ns	Width	0.88 mm
Unit Weight	0.000071 oz

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