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Siehe Technische Spezifikationen

2N7000 +BOM

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N7000
Datenblatt:

2N7000 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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2N7000 Allgemeine Beschreibung

These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductor's proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications.

Hauptmerkmale

Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain

Anwendung

Small Servo Motor Control
Power MOSFET Gate Drivers
Assorted Switching Applications

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	200 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Height	5.33 mm	Length	5.21 mm
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET	Width	4.19 mm
Unit Weight	0.016000 oz

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