Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6306 +BOM

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N6306
Datenblatt:

2N6306 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

250 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6306

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2N6306 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 8 A 125 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Anwendung

Designed for high voltage inverters,switching regulators and line-operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications in associated consumer products.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V	Collector- Base Voltage VCBO	500 V
Emitter- Base Voltage VEBO	8 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	5 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Pd - Power Dissipation	125 W
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..