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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6422 +BOM

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

2N6422
Datenblatt:

2N6422 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

300 V
Power - Max:

35 W
EDA/CAD Modelle:

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2N6422 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 2 A 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	-
Current - Collector Cutoff (Max)	-	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Power - Max	35 W	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	Through Hole

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