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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

7MBR35VA120-50 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor

Hersteller:

FUJI ELECTRIC
Herstellerteil #:

7MBR35VA120-50
Datenblatt:

7MBR35VA120-50 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
Collector Current-Max (IC):

35 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 7MBR35VA120-50

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Low VCE(sat)
Compact Package
P.C.Board Mount Module
Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit
RoHS compliant product

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	35 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	COMPLEX	Fall Time-Max (tf)	300 ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max	7 V	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-XUFM-X24	Number of Elements	7
Number of Terminals	24	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Rise Time-Max (tr)	600 ns	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	1000 ns
Turn-off Time-Nom (toff)	530 ns	Turn-on Time-Max (ton)	1200 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	390 ns	VCEsat-Max	2.65 V

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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