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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

7MBR75VN120-50 +BOM

Trans IGBT Module N-CH

Hersteller:

FUJI ELECTRIC
Herstellerteil #:

7MBR75VN120-50
Datenblatt:

7MBR75VN120-50 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

35
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 7MBR75VN120-50

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

7MBR75VN120-50 Allgemeine Beschreibung

The 7MBR75VN120-50 is a high-performance Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module designed for power electronic applications. With a N Channel transistor polarity and a DC collector current of 75A, this module is capable of handling high power outputs with ease. The collector emitter voltage Vces is rated at 1200V, ensuring reliable operation even under high voltage conditions. The module features a power dissipation of 385W, making it suitable for a wide range of power electronics applications

Hauptmerkmale

Low VCE(sat)
Compact Package
P.C.Board Mount Module
Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit
RoHS compliant product

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	35
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Case Connection	ISOLATED	Collector Current-Max (IC)	75 A
Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V	Configuration	COMPLEX
Gate-Emitter Voltage-Max	20 V	JESD-30 Code	R-XUFM-X22
Number of Elements	7	Number of Terminals	22
Operating Temperature-Max	125 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	385 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	530 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	390 ns	VCEsat-Max	2.7 V

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