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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

7MBR35VKD120-50 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor

Hersteller:

FUJITSU
Herstellerteil #:

7MBR35VKD120-50
Datenblatt:

7MBR35VKD120-50 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
Collector Current-Max (IC):

35 A
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Low VCE(sat)
Compact Package
P.C.Board Mount Module
Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit
RoHS compliant product

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	35 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	COMPLEX	Fall Time-Max (tf)	300 ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max	7 V	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-XUFM-X23	Number of Elements	7
Number of Terminals	23	Operating Temperature-Max	175 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	215 W
Rise Time-Max (tr)	600 ns	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Max (toff)	1000 ns	Turn-off Time-Nom (toff)	290 ns
Turn-on Time-Max (ton)	1200 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	180 ns
VCEsat-Max	2.5 V

Servicerichtlinien und andere

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