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Siehe Technische Spezifikationen

AT-64023 +BOM

High frequency RF Silicon Bipolar Transistor AT-64023

Hersteller:

Broadcom
Herstellerteil #:

AT-64023
Datenblatt:

AT-64023 Datenblatt (PDF)
Packaging:

Bulk
Mounting-Type:

3W
Power-Max:

200mA

AT-64023 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount 230 mil Be0

Hauptmerkmale

High Output Power:
27.5 dBm Typical P1 dB at 2.0␣ GHz
26.5 dBm Typical P1 dB at 4.0␣ GHz
High Gain at 1 dB Compression:
12.5 dB Typical G1 dBat 2.0␣ GHz
9.5 dB Typical G1 dBat 4.0␣ GHz
35% Total Efficiency
Emitter Ballast Resistors
Hermetic, Metal/Beryllia Stripline Package

Spezifikationen

Product Category	RF Transistors (BJT)	Series	-
Packaging	Bulk		-
Mounting-Type	3W	Power-Max	200mA
Transistor-Type	-	Electric current collectors	-

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