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Siehe Technische Spezifikationen

ATF-54143-BLKG +BOM

RF JFET Transistors Transistor GaAs Single Voltage

Hersteller:

Broadcom Limited
Herstellerteil #:

ATF-54143-BLKG
Datenblatt:

ATF-54143-BLKG Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

EpHEMT
Technology:

GaAs
Operating Frequency:

2 GHz
Gain:

16.6 dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ATF-54143-BLKG

ATF-54143-BLKG Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 3 V 60 mA 2GHz 16.6dB 20.4dBm SOT-343

Hauptmerkmale

High linearity performance
Enhancement Mode Technology [1]
Low noise figure
Excellent uniformity in product specifications
800 micron gate width
Low cost surface mount small plastic package SOT- 343 (4 lead SC-70)
Tape-and-Reel packaging option available
Lead-free option available.
Specifi cations
2 GHz; 3V, 60 mA (Typ.)
36.2 dBm output 3rd order intercept
20.4 dBm output power at 1 dB gain compression
0.5 dB noise figure
16.6 dB associated gain

Spezifikationen

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	EpHEMT
Technology	GaAs	Operating Frequency	2 GHz
Gain	16.6 dB	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	5 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 5 V to 1 V
Id - Continuous Drain Current	120 mA	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	725 mW	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single Dual Source	Forward Transconductance - Min	410 mmho
NF - Noise Figure	0.5 dB	P1dB - Compression Point	20.4 dBm
Product	RF JFET Transistors	Product Type	RF JFET Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Type	GaAs EpHEMT

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