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Siehe Technische Spezifikationen

BCM856BSH-QF +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 175MHz 200mW Surface Mount 6-TSSOP

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

BCM856BSH-QF
Datenblatt:

BCM856BSH-QF Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V
EDA/CAD Modelle:

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BCM856BSH-QF Allgemeine Beschreibung

PNP/PNP matched double transistor in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: BCM846BSH-Q

Hauptmerkmale

Sophisticated control circuitry
Low-noise operation
Compact package design

Anwendung

Highly integrated IC
Low power consumption
Wide operating voltage

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	400 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Qualification	AEC-Q101
DC Collector/Base Gain hfe Min	200	DC Current Gain hFE Max	450
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	10000
Subcategory	Transistors	Part # Aliases	934662837135

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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