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BC817UE6327HTSA1 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 500mA 170MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6

BC817UE6327HTSA1 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 500mA 170MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6

Infineon Inventar
Infineon Originalbestand

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity NPN Configuration Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 700 mV
Maximum DC Collector Current 500 mA Pd - Power Dissipation 330 mW
Gain Bandwidth Product fT 170 MHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Qualification AEC-Q101
Series BC817 Continuous Collector Current 500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 160 DC Current Gain hFE Max 400
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Technology Si
Part # Aliases BC 817U E6327 SP000012394

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