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Siehe Technische Spezifikationen

BC817RAPNZ +BOM

45 V, 500 mA NPN/PNP general-purpose double transistors

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

BC817RAPNZ
Datenblatt:

BC817RAPNZ Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC817RAPNZ

BC817RAPNZ Allgemeine Beschreibung

NPN/PNP general-purpose double transistors in a leadless ultra small DFN1412-6 (SOT1268) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: BC817RAPNP/PNP complement: BC807RA

Hauptmerkmale

Reduces component count
Reduces pick and place costs
Low package height of 0.5 mm
AEC-Q101 qualified

Anwendung

General-purpose switching and amplification
Mobile applications

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	700 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC817
Continuous Collector Current	500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	160
DC Current Gain hFE Max	400	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	934070166147
Unit Weight	0.000086 oz

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