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Siehe Technische Spezifikationen

BC846ASQ-7-F +BOM

Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BC846ASQ-7-F
Datenblatt:

BC846ASQ-7-F Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC846ASQ-7-F

BC846ASQ-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	200 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Series	BC846A	Continuous Collector Current	100 mA
DC Current Gain hFE Max	220	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.634931 oz

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