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Siehe Technische Spezifikationen

BCR503E6327HTSA1 +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BCR503E6327HTSA1
Datenblatt:

BCR503E6327HTSA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

no

BCR503E6327HTSA1 Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Built in bias resistor>
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no

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