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BC850BW,115 +BOM

45V 200mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

BC850BW,115 Allgemeine Beschreibung

NPN transistor in a SOT323 plastic package.PNP complements: BC859W and BC860W.

bc850bw-115

Hauptmerkmale

  • Low current (max. 100 mA)
  • Low voltage (max. 45 V).
  • AEC-Q101 qualified

Anwendung

  • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.

Spezifikationen

Type number BC850BW Size (mm) 2 x 1.25 x 0.95
hFE [min] 200 hFE [max] 450
fT [min] (MHz) 100 Complement BC860BW
IC [max] (mA) 100 Noise figure [max] (dB) 4
VCEO [max] (V) 45 Ptot [max] (mW) 200
Polarity NPN Packing SOT323_115
Orderable part number BC850BW,115 Chemical content BC850BW

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H
H**n 08.15.2022

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