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Siehe Technische Spezifikationen

BF959G

RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92 (TO-226)

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

BF959G
Datenblatt:

BF959G Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

20V
Frequency - Transition:

700MHz
Noise Figure (dB Typ @ f):

3dB @ 200MHz
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BF959G Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92 (TO-226)

Hauptmerkmale

Pb-Free Packages are Available

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V	Frequency - Transition	700MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	3dB @ 200MHz	Gain	-
Power - Max	625mW	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	BF959

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