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2N7002A +BOM

Single Element Transistor

2N7002A Allgemeine Beschreibung

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Hauptmerkmale

  • High Efficiency
  • Flexible Design
  • Quiet Operation
  • Robust Performance

Anwendung

  • Temperature Regulation
  • System Protection
  • Smart Home Integration

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 280 mA Rds On - Drain-Source Resistance 2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 350 mW
Channel Mode Enhancement Tradename 2N7002A
Series 2N7 Configuration Single
Moisture Sensitive Yes Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time 20 ns Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Unit Weight 0.001376 oz

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