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Siehe Technische Spezifikationen

2N2222 +BOM

30V 500mW 100@150mA,10V 800mA NPN TO-18 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

2N2222
Datenblatt:

2N2222 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelle:

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2N2222 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 600 mA 250MHz 500 mW Through Hole TO-18

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	800 mA
Pd - Power Dissipation	1.8 W	Gain Bandwidth Product fT	250 MHz
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2N2222	Continuous Collector Current	600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	35	DC Current Gain hFE Max	300
Height	5.3 mm	Length	5.8 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	5.8 mm

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