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Siehe Technische Spezifikationen

BFP720FESDH6327XTSA1 +BOM

RF Transistor NPN 4.7V 30mA 45GHz 100mW Surface Mount 4-TSFP

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BFP720FESDH6327XTSA1
Datenblatt:

BFP720FESDH6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

4.7V
Frequency - Transition:

45GHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BFP720FESDH6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 4.7V 30mA 45GHz 100mW Surface Mount 4-TSFP

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power, 2 kV HBM ESD hardness.
High transition frequency = 0.8 dB at 5.5 GHz, 3V, 5 mA
High gain>>
Low profile and small form factor leadless package

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	4.7V
Frequency - Transition	45GHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gain	10dB ~ 29dB	Power - Max	100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 15mA, 3V	Current - Collector (Ic) (Max)	30mA
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BFP720	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	RF Bipolar Transistors	Technology	Si
Product Type	RF Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Part # Aliases	BFP 720FESD H6327 SP000853562

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