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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 +BOM

RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount PG-TSLP-3

BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount PG-TSLP-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

  • Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
  • High transition frequency = 0.65 dB at 5.5 GHz, 1.1 dB at 12 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • High gain>>
  • Ideal for low voltage applications e.g.>
  • Low profile and small form factor leadless package
Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors Series -
Transistor Type NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2.6V
Frequency - Transition 75GHz Noise Figure (dB Typ @ f) 0.5dB @ 450MHz
Gain 27dB Power - Max 75mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 10mA, 1.8V Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number BFR840 RHoS yes
PBFree yes HalogenFree yes

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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Versand Versand & Verpackung

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Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Datenblatt PDF

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