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Siehe Technische Spezifikationen

BFR340FH6327XTSA1 +BOM

RF Transistor NPN 9V 20mA 14GHz 75mW Surface Mount PG-TSFP-3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BFR340FH6327XTSA1
Datenblatt:

BFR340FH6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

9V
Frequency - Transition:

14GHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BFR340FH6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 9V 20mA 14GHz 75mW Surface Mount PG-TSFP-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

General purpose Low Noise Amplifier
Ideal for low current operation
High breakdown voltage enables operation in automotive applications
Minimum noise figure 1.0 dB @ 1mA,1.5V,1.9GHz
Small package 1,2 x 1,2 mm2 with visible leads
Pb-free (RoHS compliant) package

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	9V
Frequency - Transition	14GHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz
Gain	13dB ~ 28dB	Power - Max	75mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	90 @ 5mA, 3V	Current - Collector (Ic) (Max)	20mA
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BFR340	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	RF Bipolar Transistors	Technology	Si
Product Type	RF Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Part # Aliases	BFR 340F H6327 SP000750426

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