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Siehe Technische Spezifikationen

BGB 540 E6327 +BOM

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

BGB 540 E6327
Datenblatt:

BGB 540 E6327 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

3.5V
Noise Figure (dB Typ @ F):

1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain:

16dB ~ 17.5dB
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BGB 540 E6327 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-3D

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	3.5V	Frequency - Transition	-
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	Gain	16dB ~ 17.5dB
Power - Max	120mW	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Current - Collector (Ic) (Max)	30mA	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount

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