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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BC547 +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BC547
Datenblatt:

BC547 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

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Hauptmerkmale

High Voltage V_CEO=65V
Low Noise: BC549,BC550
Complement to BC556.BC560

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC547
Continuous Collector Current	100 mA	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.19 mm
Unit Weight	0.007055 oz

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