Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BC547 +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BC547
Datenblatt:

BC547 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC547

Senden Sie alle Stücklisten an [email protected], oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für BC547 zu erhalten. Garantierte Antwort innerhalb 12hr.

Please fill in the correct quantity

Please fill in the correct contact person

Please fill in the correct email address

Über 100.000 Lagerbestände

Service aus einer Hand

Bester Preis

Qualitätssicherung

Request Quote

BC547 Information

Allgemeine Beschreibung

The onsemi BC547 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor from the Discrete & Power Modules category, specifically designed for General Purpose and Low VCE(sat) applications. This device is ideal for use in amplifier circuits, DC motor control, switching power supplies, and other applications where high-frequency performance and low saturation voltage are required. The BC547 offers a number of advantages, including its high current gain (110 min), high-power dissipation (500mW max), and high-frequency operation (300MHz transition frequency). Additionally, the device's operating temperature range is 150°C (TJ), making it suitable for use in demanding environments.

Hauptmerkmale

High current gain (hFE) - 110 min
High-power dissipation (Pmax) - 500mW
High-frequency operation (fT) - 300MHz
Low saturation voltage (Vce(sat)) - 600mV @ 5mA, 100mA
Operating temperature range (TJ) - 150°C

Anwendung

Amplifier circuits
DC motor control
Switching power supplies
Audio and communication systems

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	100 mA
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.19 mm	Unit Weight	0.007055 oz
Package/Case	TO-92-3

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren +

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart +

Fedex

UPS

DHL

TNT

Verpackung +

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..