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Siehe Technische Spezifikationen

BSH103,215 +BOM

TO-236AB packaged N-channel 30V MOSFET transistor

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

BSH103,215
Datenblatt:

BSH103,215 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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BSH103,215 Allgemeine Beschreibung

Experience the exceptional capabilities of the BSH103-215 transistor and unleash its full potential in your electronic designs. With unmatched power handling and thermal efficiency, this component is a game-changer for demanding applications that require precision and durability

Hauptmerkmale

Rapid prototyping capabilities
Customized motor solutions
Advanced motion control systems

Anwendung

Synchronous rectifiers
Load switches
Isolation transformers

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	850 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	2.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	750 mW
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	934054713215	Unit Weight	0.000282 oz

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