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Siehe Technische Spezifikationen

BSS63AHZGT116 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 100 mA 200MHz 200 mW Surface Mount SST3

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

BSS63AHZGT116
Datenblatt:

BSS63AHZGT116 Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V

BSS63AHZGT116 Allgemeine Beschreibung

Bipolar Transistors - BJT BSS63AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.

Hauptmerkmale

High breakdown voltage. (BV
CEO
Complements the BSS64A HZG

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 25mA, 1V
Power - Max	200 mW	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSS63

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