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Siehe Technische Spezifikationen

CENW42

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 1 W Through Hole TO-237

Hersteller:

Central Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

CENW42
Datenblatt:

CENW42 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

500mV @ 2mA, 20mA
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CENW42 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 1 W Through Hole TO-237

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V	Power - Max	1 W
Frequency - Transition	50MHz	Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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