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Siehe Technische Spezifikationen

CY14B104N-BA25XCT +BOM

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 25 ns 48-FBGA (6x10)

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

CY14B104N-BA25XCT
Datenblatt:

CY14B104N-BA25XCT Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

CY14B104N-BA25XCT Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 25 ns 48-FBGA (6x10)

Spezifikationen

Series	-	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	256K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY14B104

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