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Siehe Technische Spezifikationen

CY14B104N-BA25XI +BOM

Compact -pin FBGA package for space-constrained design

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY14B104N-BA25XI
Datenblatt:

CY14B104N-BA25XI Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Size:

4Mbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY14B104N-BA25XI

CY14B104N-BA25XI Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 25 ns 48-FBGA (6x10)

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	256K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY14B104
Mount	Surface Mount	Number of Pins	48
Data Bus Width	16 b	Density	4 Mb
Interface	Parallel	Max Operating Temperature	85 °C
Max Supply Voltage	3.6 V	Min Operating Temperature	-40 °C
Min Supply Voltage	2.7 V	Nominal Supply Current	70 mA
Operating Supply Voltage	3.3 V	Word Size	16 b

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