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CY15B016J-SXET +BOM

FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 16Kbit I²C 1 MHz 8-SOIC

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY15B016J-SXET
Datenblatt:

CY15B016J-SXET Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FRAM
Technology:

FRAM (Ferroelectric RAM)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY15B016J-SXET

CY15B016J-SXET Allgemeine Beschreibung

FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 16Kbit I²C 1 MHz 8-SOIC

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	Automotive, AEC-Q100, F-RAM™
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	FRAM
Technology	FRAM (Ferroelectric RAM)	Memory Size	16Kbit
Memory Organization	2K x 8	Memory Interface	I²C
Clock Frequency	1 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	-
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY15B016
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	feature-organization	2Kx8
feature-process-technology		feature-minimum-operating-supply-voltage-v	3
feature-maximum-access-time-ns	3000	feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6
feature-maximum-operating-current-ma	0.34	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive
feature-p-pap		feature-eccn-code	3A991.b.1.b.2
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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