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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CY15B128Q-SXE +BOM

0. Innovative ferroelectric data storage solution

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY15B128Q-SXE
Datenblatt:

CY15B128Q-SXE Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
Feature-organization:

16Kx8
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY15B128Q-SXE

CY15B128Q-SXE Allgemeine Beschreibung

The CY15B128Q-SXE is a top-notch serial non-volatile static RAM (nvSRAM) engineered for superior performance and reliability. With its 128 Kb capacity and high-speed access time of 45 ns, this nvSRAM enables lightning-fast read and write operations, making it ideal for applications requiring quick data processing. Its unique combination of high-speed SRAM performance and EEPROM non-volatility ensures that data remains intact even during power loss, providing unmatched reliability in critical systems

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	feature-organization	16Kx8
feature-minimum-operating-supply-voltage-v	2.7	feature-maximum-access-time-ns	9
feature-process-technology	130nm	feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6
feature-maximum-operating-current-ma	5	feature-packaging	Tube
feature-rad-hard		feature-pin-count	8
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive
feature-p-pap		feature-eccn-code	3A991.b.1.b.2
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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