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Siehe Technische Spezifikationen

CY62136FV30LL-45ZSXI +BOM

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY62136FV30LL-45ZSXI
Datenblatt:

CY62136FV30LL-45ZSXI Datenblatt (PDF)
Series:

MoBL®
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY62136FV30LL-45ZSXI

CY62136FV30LL-45ZSXI Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	MoBL®
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	2Mbit
Memory Organization	128K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	45ns	Access Time	45 ns
Voltage - Supply	2.2V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY62136
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	feature-organization
feature-minimum-operating-supply-voltage-v	2.2	feature-maximum-access-time-ns	45
feature-process-technology		feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6
feature-maximum-operating-current-ma	18	feature-packaging	Tray
feature-rad-hard		feature-pin-count	44
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	3A991.b.2.a
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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