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Siehe Technische Spezifikationen

CY62157G30-45ZSXI +BOM

SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY62157G30-45ZSXI
Datenblatt:

CY62157G30-45ZSXI Datenblatt (PDF)
Feature-minimum-operating-supply-voltage-v:

2.2
Feature-maximum-access-time-ns:

45
Feature-process-technology:

65nm, CMOS
Feature-maximum-operating-supply-voltage-v:

3.6
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY62157G30-45ZSXI

CY62157G30-45ZSXI Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

feature-organization		feature-minimum-operating-supply-voltage-v	2.2
feature-maximum-access-time-ns	45	feature-process-technology	65nm, CMOS
feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6	feature-maximum-operating-current-ma	25
feature-packaging	Bulk	feature-rad-hard
feature-pin-count	44	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	3A991.b.2.a	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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