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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CY62177DV30LL-55BAXI +BOM

Low-power, high-speed memory ideal for portable and embedded systems

Hersteller:

Cypress Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

CY62177DV30LL-55BAXI
Datenblatt:

CY62177DV30LL-55BAXI Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY62177DV30LL-55BAXI

CY62177DV30LL-55BAXI Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mbit Parallel 55 ns 48-FBGA (8x9.5)

Hauptmerkmale

4.5V−5.5V operation
CMOS for optimum speed/power
Low active power
— 660 mW (max.)
Low standby power (L version)
— 2.75 mW (max.)
Automatic power-down when deselected
TTL-compatible inputs and outputs
Easy memory expansion with CE and OE options

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Volatile
Memory Format	SRAM	Technology	SRAM - Asynchronous
Memory Size	32Mbit	Memory Organization	2M x 16
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	-
Write Cycle Time - Word, Page	55ns	Access Time	55 ns
Voltage - Supply	2.2V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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