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Siehe Technische Spezifikationen

CY62177G30-55BAXI +BOM

SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mbit Parallel 55 ns 48-FBGA (8x9.5)

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY62177G30-55BAXI
Datenblatt:

CY62177G30-55BAXI Datenblatt (PDF)
Series:

MoBL®
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous

CY62177G30-55BAXI Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mbit Parallel 55 ns 48-FBGA (8x9.5)

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	MoBL®
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	32Mbit
Memory Organization	4M x 8, 2M x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	55ns	Access Time	55 ns
Voltage - Supply	2.2V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY62177
feature-organization		feature-minimum-operating-supply-voltage-v
feature-maximum-access-time-ns		feature-process-technology
feature-maximum-operating-supply-voltage-v		feature-maximum-operating-current-ma
feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count	48	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	3A991.b.2.a	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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