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Siehe Technische Spezifikationen

CY62256VNLL-70SNXI +BOM

SRAM memory chip with 256 kilobits capacity

Hersteller:

Cypress Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

CY62256VNLL-70SNXI
Datenblatt:

CY62256VNLL-70SNXI Datenblatt (PDF)
Series:

MoBL®
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM

CY62256VNLL-70SNXI Allgemeine Beschreibung

The CY62256VNLL-70SNXI is a top-of-the-line CMOS static RAM, providing a substantial 256 Kbit capacity along with blazing-fast 70 ns access time. This makes it an ideal choice for applications where speed is paramount, such as in high-performance computing systems or real-time data processing. With a low standby power consumption and a data retention voltage of 2V, users can rest assured that their data will remain safe even in the event of a power outage. The 28-pin SOIC package makes integration a breeze, allowing for seamless incorporation into a wide range of electronic devices

Hauptmerkmale

Temperature ranges
❐ Commercial: 0 °C to +70 °C
❐ Industrial: –40 °C to +85 °C
❐ Automotive-A: –40 °C to +85 °C
❐ Automotive-E: –40 °C to +125 °C
Speed: 70 ns
Low voltage range: 2.7 V to 3.6 V
Low active power and standby power
Easy memory expansion with CE and OE features
TTL compatible inputs and outputs
Automatic power down when deselected
CMOS for optimum speed and power
Available in standard Pb-free and non Pb-free 28-pin (300-mil) narrow SOIC, 28-pin TSOP-I, and 28-pin reverse TSOP-I packages

Spezifikationen

Series	MoBL®	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	256Kbit
Memory Organization	32K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	70ns	Access Time	70 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY62256

Servicerichtlinien und andere

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