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Siehe Technische Spezifikationen

CY7C1041GN30-10ZSXI +BOM

CMOS-based Standard SRAM offering 256KX16 capacity, 10ns speed, and packaged in PDSO44 and TSOP2-44 configurations

Hersteller:

Cypress Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

CY7C1041GN30-10ZSXI
Datenblatt:

CY7C1041GN30-10ZSXI Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Access Time-Max:

10 ns
I/O Type:

COMMON
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY7C1041GN30-10ZSXI

CY7C1041GN30-10ZSXI Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 10 ns 44-TSOP II

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Access Time-Max	10 ns	I/O Type	COMMON
JESD-30 Code	R-PDSO-G44	JESD-609 Code	e3
Length	18.415 mm	Memory Density	4194304 bit
Memory IC Type	STANDARD SRAM	Memory Width	16
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	44
Number of Words	262144 words	Number of Words Code	256000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-40 °C	Organization	256KX16
Output Characteristics	3-STATE	Output Enable	YES
Parallel/Serial	PARALLEL	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Seated Height-Max	1.194 mm	Standby Current-Max	0.008 A
Standby Voltage-Min	1 V	Supply Current-Max	0.045 mA
Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V	Supply Voltage-Min (Vsup)	2.2 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)	3 V	Surface Mount	YES
Technology	CMOS	Temperature Grade	INDUSTRIAL
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Width	10.16 mm

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