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Siehe Technische Spezifikationen

CY7C1062DV33-10BGI +BOM

CY7C1062DV33-10BGI asynchronous SRAMs in tray packaging, does not meet RoHS standards

Hersteller:

Cypress Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

CY7C1062DV33-10BGI
Datenblatt:

CY7C1062DV33-10BGI Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY7C1062DV33-10BGI

CY7C1062DV33-10BGI Allgemeine Beschreibung

Transform your high-speed data processing capabilities with the CY7C1062DV33-10BGI, a premium synchronous SRAM chip from Cypress Semiconductor. Boasting a spacious 1M x 36 configuration and a lightning-fast 100 MHz clock speed, this chip is tailor-made for applications that require rapid and efficient memory access. Whether you're working on network switches, routers, or other telecommunications equipment, the CY7C1062DV33-10BGI's burst-counter feature ensures seamless data transfers for optimal performance. Upgrade your system today with the CY7C1062DV33-10BGI and experience the power of cutting-edge semiconductor technology

Hauptmerkmale

Pin- and function-compatible with CY7C106B/CY7C1006B
High speed
— tAA = 10 ns
Low active power
— ICC = 80 mA @ 10 ns
Low CMOS standby power
— ISB2 = 3.0 mA
2.0V Data Retention
Automatic power-down when deselected
CMOS for optimum speed/power
TTL-compatible inputs and outputs
CY7C106D available in Pb-free 28-pin 400-Mil wide Molded SOJ package. CY7C1006D available in Pb-free 28-pin 300-Mil wide Molded SOJ package

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Volatile
Memory Format	SRAM	Technology	SRAM - Asynchronous
Memory Size	16Mbit	Memory Organization	512K x 32
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	-
Write Cycle Time - Word, Page	10ns	Access Time	10 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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