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Siehe Technische Spezifikationen

CY7C1512KV18-250BZXI +BOM

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mbit Parallel 250 MHz 165-FBGA (13x15)

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY7C1512KV18-250BZXI
Datenblatt:

CY7C1512KV18-250BZXI Datenblatt (PDF)
Memory Size:

72 Mbit
Organization:

4 M x 18
Maximum Clock Frequency:

250 MHz
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY7C1512KV18-250BZXI

CY7C1512KV18-250BZXI Allgemeine Beschreibung

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mbit Parallel 250 MHz 165-FBGA (13x15)

Spezifikationen

Product Category:	SRAM	Memory Size:	72 Mbit
Organization:	4 M x 18	Access Time:	-
Maximum Clock Frequency:	250 MHz	Interface Type:	Parallel
Supply Voltage - Max:	1.9 V	Supply Voltage - Min:	1.7 V
Supply Current - Max:	650 mA	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	Tray	Memory Type:	Volatile
Series:	CY7C1512KV18	Type:	Synchronous
Moisture Sensitive:	Yes	Product Type:	SRAM
Factory Pack Quantity:	136	Subcategory:	Memory & Data Storage
Tags	CY7C1512KV18-250BZX, CY7C1512KV18-25, CY7C1512KV18-2, CY7C1512K, CY7C1512, CY7C151, CY7C15, CY7C1, CY7C, CY7	RHoS	yes
PBFree	yes	feature-organization
feature-maximum-access-time-ns	0.45	feature-minimum-operating-supply-voltage-v	1.7
feature-maximum-operating-supply-voltage-v	1.9	feature-process-technology	90nm, CMOS
feature-maximum-operating-current-ma	650	feature-packaging	Tray
feature-rad-hard		feature-pin-count	165
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	3A991.b.2.b
feature-svhc	No	feature-svhc-exceeds-threshold	No

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S**n 06.16.2021

Arrived well packed, pitched into foam in bags on 10 parts with adequate label. Excellent. On top of this, delivery was scheduled earliest on 05-24 and it arrived on 05-15! Everything was perfect, thank you to seller!