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Siehe Technische Spezifikationen

CY7C15632KV18-400BZXC +BOM

Reliable, fast, and power-efficient memory chip for demanding digital design

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY7C15632KV18-400BZXC
Datenblatt:

CY7C15632KV18-400BZXC Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Synchronous, QDR II+
Memory Size:

72Mbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY7C15632KV18-400BZXC

CY7C15632KV18-400BZXC Allgemeine Beschreibung

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 72Mbit Parallel 400 MHz 165-FBGA (13x15)

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Synchronous, QDR II+	Memory Size	72Mbit
Memory Organization	4M x 18	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	400 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	-
Voltage - Supply	1.7V ~ 1.9V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY7C15632
RHoS	yes	PBFree	yes
Architecture	QDR-II+	Bank Switching	N
Burst Length	4	ECC	N
Family	QDR-II+	Lead Ball Finish	Sn/Ag/Cu
On-Die Termination	N	Operating Temperature max	70.0 °C
Operating Temperature min	0.0 °C	Organization (X x Y)	4Mb x 18
Data Width	x 18	Qualification	Commercial
Operating Voltage max	1.9 V	Operating Voltage min	1.7 V
Interfaces	Parallel

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L**a 02.23.2021

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