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Siehe Technische Spezifikationen

DF11MR12W1M1B11BPSA1 +BOM

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1BM-2

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

DF11MR12W1M1B11BPSA1
Datenblatt:

DF11MR12W1M1B11BPSA1 Datenblatt (PDF)
Product:

Power MOSFET Modules
Type:

SiC Power MOSFET
Technology:

Si
Vf - Forward Voltage:

4.6 V

DF11MR12W1M1B11BPSA1 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1BM-2

Spezifikationen

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Power MOSFET Modules
Type	SiC Power MOSFET	Technology	Si
Vf - Forward Voltage	4.6 V	Vr - Reverse Voltage	1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage	5.55 V	Mounting Style	Chassis Mount
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	Discrete Module	Configuration	Dual
Fall Time	12 ns	Id - Continuous Drain Current	50 A
Operating Supply Voltage	-	Pd - Power Dissipation	20 mW
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance	33 mOhms
Rise Time	9.6 ns	Factory Pack Quantity	24
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Tradename	EasyPACK ~ CoolSiC ~ PressFIT
Transistor Polarity	N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	43.5 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.45 V	Part # Aliases	DF11MR12W1M1_B11 SP003094734
Unit Weight	0.846575 oz

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