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DSS60601MZ4Q-13 +BOM

V NPN transistor ideal for industrial control and motor drive circuit

  • Hersteller:

    Diodes Incorporated

  • Herstellerteil #:

    DSS60601MZ4Q-13

  • Datenblatt:

    DSS60601MZ4Q-13 Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Transistor Polarity:

    NPN

  • Configuration:

    Single

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

    60 V

DSS60601MZ4Q-13 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 700 mA 300MHz 500 mW Surface Mount MPT3

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity NPN Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Maximum DC Collector Current 12 A Pd - Power Dissipation 3 W
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Qualification AEC-Q101
Continuous Collector Current 6 A DC Collector/Base Gain hfe Min 120 at 1 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 360 at 1 A, 2 V Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory Transistors
Technology Si Unit Weight 0.003951 oz

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