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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DTC124EKAT146 +BOM

Digital Transistors ROHS - TO-236-3(SOT-23-3)

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

DTC124EKAT146
Datenblatt:

DTC124EKAT146 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max):

30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Resistor - Base (R1):

22 kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DTC124EKAT146

DTC124EKAT146 Allgemeine Beschreibung

Compact yet powerful, the DTC124EKAT146 digital transistor is a go-to choice for designers seeking a reliable and versatile component for their electronic projects. Its 0.1A current rating and 50V breakdown voltage offer ample headroom for various low-power applications, while the built-in bias resistor simplifies circuit design and reduces component count. By choosing the DTC124EKAT146, engineers can streamline their design process and create innovative solutions that meet the demands of today's digital landscape

Hauptmerkmale

Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 22kΩ
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) .
Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.
Complementary PNP Types: DTA124E series

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Current - Collector (Ic) (Max)	30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	22 kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250 MHz	Power - Max	200 mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	DTC124

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